葫芦岛LEM莱姆传感器型号汽车霍尔传感器

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关；I为霍尔元件的偏置电流；B为磁场强度；d为半导体材料的厚度。
对于一个给定的霍尔器件，当偏置电流I固定时，UH将完全取决于被测的磁场强度B。
一个霍尔元件一般有四个引出端子，其中两根是霍尔元件的偏置电流I的输入端，另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路，就会产生霍尔电流。一般地说，偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出；若精度要求高，则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度，有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的镀膜合金；这类传感器的霍尔电势较大，但在0.05T左右出现饱和，仅适用在低量限、小量程下使用。
在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压

介绍：
DHAB系列适合于高功率和低压汽车应用中的直流、交流或脉
冲电流测量。它的特点是主电路（高功率）和二次电路（电子
电路）之间的电流分离。
DHAB系列让您可以选择在同一外壳中有不同的电流测量范围（
从± 20到± 900 A）。


特点：
●开环传感器使用霍尔效应
●低压应用
●单极+ 5 V直流电源
●通道1的一次电流测量范围为± 75 A，通道2为± 500 A
●大RMS主要允许电流：由母线定义为具有T°< +
150°C
●工作温度范围： - 40°C ●输出电压：全比值测量（灵敏度和偏移量）。

特殊功能：
●双通道传感器，用于更宽的测量范围和冗余度。

优点：
●良好的高电流和低电流范围
●线性良好
●低热偏移漂移
●低热灵敏度漂移
●密封包。

汽车应用：
●电池组监控
●混合动力汽车
●电动汽车和多用途车。

DHAB系列原理：
开环传感器采用霍尔效应集成电路。导致霍尔电压升高的磁通量密
度B是由主电流I产生的P被测量。

闭环霍尔电流传感器具有响应时间短、工作频率高、过载能力强、高隔离度等众多优点。一般情况下，根据输入信号、外形、内孔尺寸来选择霍尔电流传感器。在传感器行业内，江苏安科瑞霍尔电流传感器严格按照/T 7490-2007《霍尔电流互感器行业标准》规定的各项要求，相对于同行采用插针式接线不同，一律采用绿色可插拔端子，现场接线方便、可靠。

HAH1DRW 100-S/SP5, HAH1DRW 200-S/SP5, HAH1DRW 300-S/SP5, HAH1DRW 400-S/SP5, HAH1DRW 500-S/SP5,
HAH1DRW 600-S/SP5, HAH1DRW 700-S/SP5, HAH1DRW 800-S/SP5, HAH1DRW 900-S/SP5, HAH1DRW 1000-S/SP5,
HAH1DRW 1100-S/SP5, HAH1DRW 1200-S/SP5, HAH1DRW 1500-S/SP5

HSNBV 100-R00; HSNBV 200-R00; HSNBV 300-R00; HSNBV 500-R00; HSNBV 800-R00; HSNBV 900-R00;
HSNBV-D02; HSNBV-D03; HSNBV-D04; HSNBV-D05; HSNBV-D06; HSNBV-D07; HSNBV-D08; HSNBV-D09;
HSNBV-D10; HSNBV-D14