关键词 |
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面向地区 |
全国 |
商品产地 |
北京 |
材料物理性质 |
绝缘体 |
材料晶体结构 |
单晶 |
材料 |
混合物 |
制作工艺 |
集成 |
输出信号 |
模拟型 |
质检报告 |
有 |
2020年，数据中心建设被正式列入新基建战略。近几年越来越受到重视，数据中心是新基建有序运行的基础保障，被视为“新基建的基础设施”。
在“十四五”规划和2035年远景目标纲要，第十一章中明确指出，“加快构建全国一体化大数据中心体系，强化算力统筹智能调度，建设若干枢纽节点和大数据中心集群”。
装有安科瑞霍尔电流传感器的直流列头柜已经在多个数据中心正式投运，对数据中心各配电设备和用电设备的电力运行参数进行采集，实现多回路在线监测以及故障报警，满足绝大多数数据中心的需求。
BA系列中剩余电流传感器于漏电监控，监测电气线路或电气设备绝缘状态，避免电气线路或电气设备绝缘性能降低引起的事故。产品符合GB/T 13850-1998、GB 1208-2006
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关；I为霍尔元件的偏置电流；B为磁场强度；d为半导体材料的厚度。
对于一个给定的霍尔器件，当偏置电流I固定时，UH将完全取决于被测的磁场强度B。
一个霍尔元件一般有四个引出端子，其中两根是霍尔元件的偏置电流I的输入端，另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路，就会产生霍尔电流。一般地说，偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出；若精度要求高，则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度，有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的镀膜合金；这类传感器的霍尔电势较大，但在0.05T左右出现饱和，仅适用在低量限、小量程下使用。
在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压
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