机电元件霍尔传感器扬州进口莱姆LEM电流传感器参数 免费发布霍尔传感器信息

扬州进口莱姆LEM电流传感器参数

更新时间:2025-02-08 04:11:18 编号:681iobe4sa6430
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陈经理

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扬州进口莱姆LEM电流传感器参数

关键词
电流传感器参数,扬州电流传感器,电流传感器参数,电流传感器型号
面向地区
全国
商品产地
北京
材料物理性质
绝缘体
材料晶体结构
单晶
材料
混合物
制作工艺
集成
输出信号
模拟型
质检报告

交流电流传感器

  交流电流传感器应用电磁感应原理,对电网中的交流电流进行实时测量,采用精密恒流技术和线性温度补偿技术,将其隔离变换为标准的直流信号输出。为PLC或DCS系统提供电流信号。交流电流传感器主要有安科瑞电气股份有限公司BA20-AI/I、BA05-AI/I-T,绵阳维博(西南自动化所)WBI411、WBI412等。

产品概述

  BA系列交流电流传感器是安科瑞电气股份有限公司推出的一款适合PLC或DCS等系统的电流传感器,它采用24伏或12伏安全电压供电,具有过载能力强、、高隔离、高安全性、低功耗等特点,可广泛用于工业自动化领域。

  符合标准

  GB/T 13850-1998、GB 1208-2006

  适用环境

  工作温度:-25~+70℃

  储存温度:-40~+80℃

  相对湿度:≤90%RH,不结露,无腐蚀性气体场所

  海拔高度:≤2500m

  性能特点

  过载能力强,可将0.1A~600A的交流电流隔离变换成标准的直流信号

  ,默认精度等级为0.5级,0.2级可选,从而满足自动控制需要

  安装方便灵活,采用TS35mm导轨安装,或选择用螺钉固定在柜体上

  采用平均值测量和真有效值测量方法,客户可根据需要选择

  技术参数

  输入电流

  BA05-AI 测量范围 AC 0~(0.5~10)A

  BA10-AI 测量范围 AC 0~(8~50)A

  BA20-AI 测量范围 AC 0~(40~200)A

  BA50-AI 测量范围 AC 0~(60~600)A

  输出信号

  标称值:DC4~20mA、DC0~20mA、DC1~5V、DC0~5V

  工作电源

  DC12V,允许范围10~15V

  DC24V,允许范围18~30V

  功耗≤1W

  温度漂移系数

  温度漂移系数≤200ppm

  响应时间

  平均值≤350mS

  真有效值≤100mS

  精度等级

  精度等级为0.5级

  交流电流传感器安装尺寸(单位:mm)

  BA05-AI穿孔尺寸为φ5

  BA10-AI穿孔尺寸为φ10

  BA20-AI穿孔尺寸为φ20

  BA50-AI穿孔尺寸为φ50

  BA系列交流电流传感器采用标准35mm导轨安装,或者用螺钉固定在柜体上

  选型

  安科瑞电气股份有限公司交流电流传感器BA20-AI/I

  平均值交流电流传感器,可将40A~200A交流电流隔离输出DC4-20mA,穿孔为φ20mm,精度等级0.5级,标准35mm导轨安装

  范例

  型 号:BA05-AI/I-T真有效值交流电流传感器

  输 入:AC5A

  输 出:DC4-20mA

  精 度:0.5级

  电源:DC24V

交流电流传感器安装尺寸(单位:mm)
BA05-AI穿孔尺寸为φ5
BA10-AI穿孔尺寸为φ10
BA20-AI穿孔尺寸为φ20
BA50-AI穿孔尺寸为φ50
BA系列交流电流传感器采用标准35mm导轨安装,或者用螺钉固定在柜体上

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;I为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。
对于一个给定的霍尔器件,当偏置电流I固定时,UH将完全取决于被测的磁场强度B。
一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流I的输入端,另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。一般地说,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的镀膜合金;这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,仅适用在低量限、小量程下使用。
在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场,则在垂直于电流和磁场的方向上,将产生电势差为UH的霍尔电压

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公司资料

北京一祥聚辉科贸有限公司
  • 徐晓伟
  • 北京 海淀
  • 个体经营
  • 2014-06-10
  • 人民币100万
  • 11 - 50 人
  • 特殊电子元器件
  • 瑞士lem传感器,韩国ls产电,芬兰vacon变频器,富士igbt
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