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富士IGBT 模块的作用
富士IGBT模块的作用主要体现在提高能源效率和优化电力使用，特别是在节能和削减电力成本方面。
小型化：利用新开发的绝缘板，提高了模块的散热性能，实现了与以往制品相比约36%的减小，实现了小型化。
高温操作：通过对高可靠性高耐热封装和芯片进行优化，实现了175℃连续动作，与过去产品相比可进一步提高35%的输出。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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