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富士IGBT模块通过几个关键特性实现了这些优势：
低损耗：通过优化IGBT元件以及二极管元件的厚度，实现了小型化，从而优化了元件结构。这降低了变频器运行时的电力损耗，与以往产品相比，变频器损耗降低了10%，芯片温度降低了11℃。
富士IGBT模块的产品系列包括分立IGBT、IGBT模块斩波器、IGBT 2-Pack、IGBT模块6-Pack以及PIM（Power Integrated Module），这些产品根据具体应用场景的不同需求，提供了多样化的解决方案。例如，2-Pack内置有半桥电路，适用于UPS、通用变频器、电力铁路、大型太阳能发电等；而6-Pack则是将3相变频器电路集成到1个模块上，便于紧凑地设计主电路。此外，富士还提供了支持T/I型2种3电平电路的IGBT模块，特别适用于太阳能发电、不间断电源装置等用途，通过采用富士特有的RB-IGBT芯片实现低损耗和率。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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